基于 3 納米的全環(huán)繞柵極(Gate-All-AroundT，簡稱 GAA)工藝有望成為半導體行業(yè)的游戲規(guī)則改變者。三星電子計劃在未來三年內(nèi)通過建立 3 納米 GAA 工藝，趕上全球第一大代工公司臺積電。

GAA 是一種下一代工藝技術(shù)，它改進了半導體晶體管的結(jié)構(gòu)，使柵極可以接觸晶體管的所有四個側(cè)面，而不是當前 FinFET 工藝中的三個側(cè)面。 GAA 結(jié)構(gòu)可以比 FinFET 工藝更精確地控制電流。根據(jù)集邦咨詢的數(shù)據(jù)，2021 年第 4 季度，臺積電占全球代工市場的 52.1%，遠超三星電子的 18.3%。

三星電子押注將 GAA 技術(shù)應(yīng)用到 3 納米制程以趕上臺積電。據(jù)報道，這家韓國半導體巨頭在 6 月初將晶圓置于 3 納米 GAA 工藝中進行試量產(chǎn)，成為世界上第一家使用 GAA 技術(shù)的公司。它正在尋求通過技術(shù)飛躍立即縮小與臺積電的差距。與 5 納米工藝相比，3 納米工藝將半導體性能和電池效率分別提高了 15% 和 30%，同時芯片面積減少了 35%。

繼今年上半年將 GAA 技術(shù)應(yīng)用于其 3 納米工藝后，三星計劃在 2023 年將其引入第二代 3 納米芯片，并在 2025 年量產(chǎn)基于 GAA 的 2 納米芯片。臺積電的戰(zhàn)略是今年下半年進入3nm半導體市場，采用穩(wěn)定的FinFET工藝，而三星電子則押注 GAA 技術(shù)。

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