雖然目前來(lái)看，下一代芯片普遍依然采用5nm工藝打造，但是廠商卻一直在耗費(fèi)巨資開(kāi)發(fā)3nm工藝，其中臺(tái)積電就表示將要在明年量產(chǎn)3nm工藝。

不過(guò)，消息稱臺(tái)積電依然選擇FinFET晶體管技術(shù)，三星則選擇了GAA技術(shù)，并且還成功流片，距離實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)更近了一步。

據(jù)韓媒Business Korea最新報(bào)道，三星電子裝置解決方案事業(yè)部門技術(shù)長(zhǎng)Jeong Eun-seung在8月25日的一場(chǎng)網(wǎng)絡(luò)技術(shù)論壇中透露，三星能夠搶在主要競(jìng)爭(zhēng)者臺(tái)積電之前，宣布GAA技術(shù)商業(yè)化。

他直言：“我們開(kāi)發(fā)中的GAA技術(shù)，領(lǐng)先主要競(jìng)爭(zhēng)者臺(tái)積電。一旦鞏固這項(xiàng)技術(shù)，我們的晶圓代工事業(yè)將可更加成長(zhǎng)。”

據(jù)悉，GAA是一種新型的環(huán)繞柵極晶體管，通過(guò)使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場(chǎng)效應(yīng)管)，該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術(shù)。

根據(jù)三星的說(shuō)法，與5nm制造工藝相比，3nm GAA技術(shù)的邏輯面積效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了約30%。

三星早在2019年就公布了3nm GAA工藝的PDK物理設(shè)計(jì)套件標(biāo)準(zhǔn)，當(dāng)時(shí)三星預(yù)計(jì)3nm GAA工藝會(huì)在2020年底試產(chǎn)，2021年量產(chǎn)，但現(xiàn)在顯然不能實(shí)現(xiàn)這個(gè)計(jì)劃了。

需要注意的是，有消息稱三星3nm GAA工藝如果拖到2024年量產(chǎn)，將會(huì)直接與臺(tái)積電2nm競(jìng)爭(zhēng)，到時(shí)候鹿死誰(shuí)手還猶未可知。

關(guān)鍵詞： 三星 3nm GAA工藝 臺(tái)積電