與臺積電和英特爾一樣,三星集團也是要在美國新建芯片制造設(shè)施的三家企業(yè)之一。WCCFTech 指出,目前三星正處于評估不同城市設(shè)施配套狀況的選址階段。此外據(jù)韓媒報道,三星副董事長李在镕最早將于下周前往美國,以敲定最終價值 170 億美元的芯片制造工廠的廠址。
德克薩斯州奧斯汀工廠(圖自:Samsung 官網(wǎng))
消息稱,三星將在德克薩斯州、亞利桑那州和紐約州三地之中選建新芯片制造工廠。自今年 3 月以來,相關(guān)審議工作一直在緩慢地推進。
當時恰逢奧斯汀工廠遭遇停電危機,于是三星向當局呈遞了一份新提案,要求為新工廠建設(shè)提供稅收優(yōu)惠。但也正是在這份文件中,三星概述了要將紐約州和亞利桑那州納入備選。
如果順利建成,新工廠有望用上先進的 3nm 半導體制造工藝。目前處于 5nm 領(lǐng)先地位的臺積電,亦計劃明年開始量產(chǎn)下一代 3nm 工藝。
(圖自:Samsung Electronics)
不過三星和臺積電并不是一條道上的選手,因為兩家公司選擇了不同的晶體管設(shè)計方案。臺積電堅持傳統(tǒng) FinFET,而三星計劃采用 2018 年與 IBM 聯(lián)合開發(fā)的 GAAFET 。
韓聯(lián)社指出,李在镕預計最早下周訪問美國,但目前三星方面尚未確認該高管的行程。在因受賄罪入獄七個月后,其目前正處于假釋階段。
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